HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复电压（VR），其典型正向压降（VF）为1.37V，在瞬态条件下可承受80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的物理优势，该器件在高频开关应用中表现出低导通损耗与快速恢复特性，适合用于高效率、高功率密度的电源转换场合。