DIODE GEN PURP 800V 1.2A D2
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение800 V
Средний выпрямленный ток1.2 A
Прямое падение напряжения920 mVМакс. · 1.5 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1.2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 1.5 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C~175°C |
| Package | Bag |
| Package / Case | D-2, Axial |
| Supplier Device Package | D2 |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.