HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
RS1MF
Single Diodes此款快恢复、高效率二极管具有卓越的电气特性，正向电流(IF)可达1A，反向电压(VR)最高支持1000V，确保了在高压环境下的可靠性能。其正向电压降(VF)仅为1.3V，在保证高效导通的同时，能够有效降低能量损耗。在待机状态下的反向漏电流(IR)低至5μA，体现了出色的阻断能力；瞬时正向浪涌电流(IFSM)承受能力高达30A，增强了器件应对突发大电流冲击的可靠性。适用于高频开关电源、逆变电路及其他需要快速恢复时间和高效率的电子设备中。(RS1MF-T)
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.3 VМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 反向电流(Ir) | 5uA |
| 整流电流 | 1A |
| Другое | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.3V |