Поиск аналогов электронных компонентов
S10JCHM6G
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

S10JCHM6G

Single Diodes

DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение600 V
Средний выпрямленный ток10 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 10 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 10 A
Условия эксплуатации и корпус
GradeAutomotive
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseDO-214AB, SMC
QualificationAEC-Q101
Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Другое
Base Product NumberS10J
Capacitance @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusDiscontinued at Digi-Key
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.