MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток8 V
Постоянный ток стока5.8 A
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · 4.4A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Другое | |
| Base Product Number | SI2305 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 4 V |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.