VBsemi(微碧半导体)Китай
SI4330DY-T1-E3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока7.2 A
Сопротивление в открытом состоянии16 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,8A |
| 耗散功率(Pd) | 2W |