MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 12. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Power - Max | 1.1W |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Другое | |
| Base Product Number | SI4330 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 8.7A, 10V |
| Series | TrenchFET® |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.