MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии115 mΩМакс. · 3.9A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Другое | |
| Base Product Number | SI7309 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 30 V |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 3.9A, 10V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.