Поиск аналогов электронных компонентов

SIHG22N60AEL-GE3

Single FETs, MOSFETsTO-247AC

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 4. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока21 A
Сопротивление в открытом состоянии180 mΩМакс. · 11A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)208W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247AC
Другое
Base Product NumberSIHG22
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1757 pF @ 100 V
MfrVishay Siliconix
PackagingTube
Part StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 11A, 10V
SeriesEL
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Документы