Поиск аналогов электронных компонентов
SIZ920DT-T1-GE3

SIZ920DT-T1-GE3

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Power - Max39W, 100W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerWDFN
Supplier Device Package8-PowerPair® (6x5)
Другое
Base Product NumberSIZ920
FET FeatureStandard
FET Type2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 15V
MfrVishay Siliconix
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 18.9A, 10V
SeriesTrenchFET®
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы