HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路中，能够有效提升系统能效并保障运行稳定性。