HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为100V。在导通状态下，其正向压降为0.85V，有助于减少功率损耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源、电源适配器及各类对效率和热管理有要求的电子系统中，具备快速开关响应和稳定运行能力。