HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.92V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，能够有效提升系统能效并保障运行稳定性。