HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系:sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式结构,具有2A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V,在导通时可有效降低功率损耗;反向漏电流为500μA,表现出良好的阻断特性。器件能承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对瞬态电流有一定要求的电路。典型应用包括开关电源中的整流、电池供电系统的极性保护以及高频信号处理等场景。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения700 mVМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Другое | |
| IF | 2A |
| IFSM | 50A |
| IR | 500uA |
| VF | 0.7V |
| VR | 60V |
| 二极管配置 | 独立式 |