BORN(伯恩半导体)Китай
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Полный отчётТехнические параметры
| Ipp @10/1000us （A） | 22 |
| IR (µA) | 1 |
| IT （mA） | 1 |
| PartNumber （Bi） | SMAJ11CA |
| Part Number （Uni） | SMAJ11A |
| PPP @10/1000us (W) | 400 |
| VBR @IT Max.(V) | 13.5 |
| VBR @IT Min.(V) | 12.2 |
| VC@Ipp （V） | 18.2 |
| VRWM (V) | 11 |
| Ipp @10/1000us （A） | 22 |
| IR (µA) | 1 |
| IT （mA） | 1 |
| PartNumber （Bi） | SMAJ11CA |
| Part Number （Uni） | SMAJ11A |
| PPP @10/1000us (W) | 400 |
| VBR @IT Max.(V) | 13.5 |
| VBR @IT Min.(V) | 12.2 |
| VC@Ipp （V） | 18.2 |
| VRWM (V) | 11 |