Zhengxin(正芯)Китай
采用GPP工艺芯片，具有低漏电、高对档率等优势 ，有较好的高温特性及稳定性。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Рабочее обратное напряжение160 V
Напряжение ограничения259 VМакс.
Пиковая импульсная мощность200 W
| Питание | |
|---|---|
| 反向截止电压(Vrwm) | 160V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 770mA |
| 钳位电压 | 259V |
| Другое | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 200W |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.