SPS02N60C3BKMA1

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETsPG-TO251-3-11

LOW POWER_LEGACY

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток600 V

Постоянный ток стока1.8 A

Сопротивление в открытом состоянии3 ΩМакс. · 1.1A

Пороговое напряжение3.9 VМакс. · 80μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Power Dissipation (Max)	25W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Supplier Device Package	PG-TO251-3-11
Другое
Base Product Number	SPS02N
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 1.1A, 10V
Series	CoolMOS™
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA