JSMSEMI(杰盛微)Китай
TF2136M-TR
Gate Drivers栅极驱动IC@@驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Конфигурация нагрузкиHalf-bridge
Пиковый выходной ток350 mAМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 拉电流(IOH) | 210mA |
| 灌电流(IOL) | 350mA |
| Другое | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 驱动配置 | 半桥 |
Документы
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 6.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации