Поиск аналогов электронных компонентов

TGBLNBB01-5DL8

FET, MOSFET Arrays
Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 2, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流18A
Id-额定电流18A
VDSS-最大漏源电压150V
Vgs(th)-门槛电压4V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗65mΩ
Ron-最大导通阻抗65mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1PDFN5×6
Другое
Pd-功率耗散46W
Pd-最大功率耗散46W
Qg-栅极电荷NnC
Vdss-漏源耐压150V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы