Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока46.5 A
Сопротивление в открытом состоянии41 mΩМакс. · 30A
Пороговое напряжение4.8 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | TP65H035 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mfr | Transphorm |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V |
| Series | - |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.