TransphormСША
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока47.2 A
Сопротивление в открытом состоянии41 mΩМакс. · 32A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | TP65H035 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mfr | Transphorm |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.