TP65H070G4PS
GaN Transistors氮化镓场效应晶体管,常关型器件,结合氮化镓高电子迁移率晶体管和硅金属氧化物半导体场效应晶体管技术,采用第四代超级氮化镓平台,实现低损耗和高效率。
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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 29A |
| Другое | |
| 技术路线 | E-mode |
| 类型 | N沟道 |
氮化镓场效应晶体管,常关型器件,结合氮化镓高电子迁移率晶体管和硅金属氧化物半导体场效应晶体管技术,采用第四代超级氮化镓平台,实现低损耗和高效率。
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 29A |
| Другое | |
| 技术路线 | E-mode |
| 类型 | N沟道 |