Поиск аналогов электронных компонентов
TP65H070G4PS

TP65H070G4PS

GaN Transistors

氮化镓场效应晶体管,常关型器件,结合氮化镓高电子迁移率晶体管和硅金属氧化物半导体场效应晶体管技术,采用第四代超级氮化镓平台,实现低损耗和高效率。

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)29A
Другое
技术路线E-mode
类型N沟道

Изображения

Документы