VBsemi(微碧半导体)Китай

SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；6.3/-5.2A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款双N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。