VBsemi(微碧半导体)Китай
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 4, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока10 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |