Поиск аналогов электронных компонентов
W987D6HBGX7E TR
Winbond ElectronicsТайвань, Китай

W987D6HBGX7E TR

Last Time BuyMemory

IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипDRAM
Объём памяти128 Mbit
ИнтерфейсParallel
Напряжение питания1.7 ~ 1.95 V
Тактовая частота133 MHzМакс.
Питание
Voltage - Supply1.7V ~ 1.95V
Характеристики по постоянному и переменному току
Clock Frequency133 MHz
Условия эксплуатации и корпус
Memory Size128Mbit
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-25°C~85°C(TC)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case54-TFBGA
Supplier Device Package54-VFBGA (8x9)
Другое
Access Time5.4 ns
Base Product NumberW987D6
Memory FormatDRAM
Memory InterfaceParallel
Memory Organization8M x 16
Memory TypeVolatile
MfrWinbond Electronics
Product StatusLast Time Buy
Series-
TechnologySDRAM - Mobile LPSDR
Write Cycle Time - Word, Page15ns

Изображения

Документы