HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，并能承受高达1200V的反向电压(VR/V)，适用于需要高压和稳健电流管理的应用场景。其正向电压(VF/V)为1.5V，有效降低了导通损耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)为250微安，在非导通状态下提供可靠的隔离性能。同时，它还能承受71A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，增强了在复杂环境下的耐用性，适合用于追求高效与稳定性的各类电路设计中。