WeEn SemiconductorsНидерланды
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 3 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Supplier Device Package | SMB |
| Другое | |
| Base Product Number | WNSC2 |
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | WeEn Semiconductors |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |