HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，具有较低的导通损耗。其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A，能够有效应对短时过载情况。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能，适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。