HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.42V，具备较低的导通损耗。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A，适用于高频、高效率要求的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备，在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。