HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.36V，并能承受高达66A的非重复浪涌正向电流。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下表现出低导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、功率因数校正电路以及对体积和散热有严苛要求的电力电子系统。