Поиск аналогов электронных компонентов

YGE10N65TMA1

ПроизводитсяIGBT Devices and Modules - Unspecified Type

YGE10N65TMA1 — 上海陆芯 IGBT单管

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

BV (V)650
Eoff (mJ)0.015
Ic(A) @100℃10
Tsc(us)5
Vcesat (V)1.5

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.