Innovisionsemi

6A SYNC BUCK CONVERTER WITH LIGH

内部集成PMBus的超小体积集成电感高频同步降压模块

IS6302A是针对LPDDR5/LPDDR4X而设计的高功率全集成的电源解决方案。 该芯片在宽输入电压范围3.15V-22V内支持三路输出，内部集成两路Buck和单个负载开关，10A连续输出电流，Buck满载可达14A。 IS6302A采用3mm x 3mm QFN封装，优化的高低侧MOSFET设计，兼顾高效率、高性能的同时具备更小的应用体积。  IS6302A采用COT™控制模式，最小的输出电容提供快速瞬态响应，在整个输入电压和输出负载范围内具有出色的线性调整和负载调节，且同时支持内存应用程序的两种睡眠模式操作（S3/S5）。 此外，IS6302A具有全套保护功能，包括输入欠压锁定（UVLO）、输出过电流限制（OCL）、输出过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、过温保护（OTP）等，适用于高数据传输率/宽输出电压范围的笔电、服务器、数据中心等领域。

IS6630D可为LPDDR4X提供高功率密度的完整电源解决方案，其内部集成了同步降压型开关变换器（VDD2），该变换器可在宽输入电压（4.5V~22V）范围内提供高达10A的连续电流，具有出色的负载和线性调整率。它采用本司专利的TCOT™控制模式，可实现快速瞬态响应。 同时，芯片内部还集成了VDDQ LDO、VDD1 LDO。VDDQ LDO输出端只需要一颗22uF的陶瓷电容，即可吸收或提供1.5A的持续电流；VDD1 LDO输出端则需要两颗22uF的陶瓷电容，可提供1.5A的持续电流。 IS6630D采用QFN16 (3mmx3mm)封装，内部集成了完整的保护功能，包括OCP, NOCP, OVP, UVP及OTP。 芯片内设开漏输出的PGOOD信号，用来指示芯片工作状态。输出端采用纯陶瓷电容，可为用户达到节省空间及成本的目的。

IS6630C可为LPDDR5提供高功率密度的完整电源解决方案，其内部集成了同步降压型开关变换器（VDD2），该变换器可在宽输入电压（4.5V~22V）范围内提供高达10A的连续电流，具有出色的负载和线性调整率。它采用本司专利的TCOT™控制模式，可实现快速瞬态响应。 同时，芯片内部还集成了VDDQ LDO、VDD1 LDO。VDDQ LDO输出端只需要一颗22uF的陶瓷电容，即可吸收或提供1.5A的持续电流；VDD1 LDO输出端则需要两颗22uF的陶瓷电容，可提供1.5A的持续电流。 IS6630C采用QFN16 (3mmx3mm)封装，内部集成了完整的保护功能，包括OCP, NOCP, OVP, UVP及OTP。 芯片内设开漏输出的PGOOD信号，用来指示芯片工作状态。输出端采用纯陶瓷电容，可为用户达到节省空间及成本的目的。

IS6630A可为DDR4，DDR3/DDR3L提供高功率密度的完整电源解决方案，其内部集成了同步降压型开关变换器（VDDQ），该变换器可在宽输入电压（4.5V~22V）范围内提供高达10A的连续电流，具有出色的负载和线性调整率。它采用本司专利的TCOT™控制模式，可实现快速瞬态响应。  同时，芯片内部还集成了VTT LDO、VPP LDO以及缓冲低噪声参考输出（VTTREF）。VTT LDO输出端只需要一颗22uF的陶瓷电容，即可吸收或提供1.5A的持续电流；VPP LDO输出端也只需要一颗22uF的陶瓷电容，即可提供1.5A的持续电流；VTTREF可准确追踪VDDQ/2值。 IS6630A采用QFN16 (3mmx3mm)封装，内部集成了完整的保护功能，包括OCP, NOCP, OVP, UVP及OTP。 芯片内设开漏输出的PGOOD信号，用来指示芯片工作状态。输出端采用纯陶瓷电容，可为用户达到节省空间及成本的目的。

IS6620A为高度集成的非隔离式双路DC-DC转换器。 该变换器支持在输入电压 (4.5V-16V)范围内提供6A的单相单路输出或12A的双相并联单路输出，且输出电压支持0.5V-5.5V。 其采用伪电流模式控制，具有可选的斜坡幅度配置，以优化环路带宽。 IS6620A通过优化的电路设计，改进的晶圆生产工艺及采用最先进的封装技术，使得器件的功率密度和转换效率更高，抗干扰能力更强，输出电压更稳定。 该芯片内部集成了完整的保护功能，包括预偏置-启动保护，软启动保护，NOCP，OVP，UVP及 OTP 等保护功能。

IS6108A是一款可编程热插拔保险丝，专为服务器、数据存储和通信产品等高电流应用场景设计，该器件内置0.6mΩ 功率MOSFET和其他控制电路，可独立运行或通过热插拔控制器进行控制。单个器件最大可承载60A的连续电流，可并联操作以满足更高电流应用的需求。 当电路板插入带电背板电源时，IS6108A能够抑制负载浪涌电流，从而有效控制背板压降。在初始启动阶段，器件电流通过输出端的上升时间速率进行调控，该速率可通过SS引脚上的外部电容进行编程设置。 该器件具备多项简化系统设计的功能，提供集成化输出电流监测和芯片温度监控解决方案。IS6108A采用全套保护功能设计，包括输出电流限制、过温关断及功率场效应管检测。除向控制器反馈外，该器件还能检测功率场效应管栅源漏短路状态，全面保护系统免受异常工作条件的影响。

IS6103D是一款集成场效应晶体管（FET）的主动式有源电路保护器件。 采用热插拔设计，可在故障状态下可将电流和电压限制在安全范围内。 该器件具备Auto Retry Fault Response功能，能有效防止过载、短路、电压浪涌、过冲电流及反向电流。其内置钳位电路无需外接元件可将过电压限制在安全最大值，可为12V系统提供过压保护（OVP）。 当需要特定电压斜坡时，可通过单个电容器对dV/dT引脚进行编程设置，确保输出曲线符合要求。 该器件支持可编程限流功能，限流值通过连接ILIMIT引脚与地的外部电阻进行设定，精度可达±15%，且仅需单个外部电阻即可完成参数配置。

IS6105A是一款集成1.2mΩ 功率MOSFET 及 PMBus™ 接口的热插拔保护器件，具有最大50A直流电流监测功能，用于保护负载电路免受输入电源突变危害而设计，同时该器件可保护输入端不受输出端短路和瞬态的影响。 IS6105A配备电流监测功能（IMON），通过利用从IMON到地的外部电阻，产生与器件电流成比例的电压，实现电流值的监测和反馈，并内置先进的片上电流采样技术，可有效读取和限制电流。 此外，该器件支持可编程电流限制功能，通过从ISET引脚连接到GND的外部电阻来调节电流限制值。用户可通过SS引脚连接外部电容器进行调节输出电压上升斜率的编程来限制浪涌电流。 IS6105A兼容PMBus™接口，可以从内部ADC中读取电流、电压、温度及输入功率信息，设备被停用时支持启用输出电容器放电功能。同时具备一套完整的保护功能，包括限流保护（OCP）、过温保护(OTP)、过压保护（OVP）和欠压保护（UVP)。

IS6103C是一款集成场效应晶体管（FET）的主动式有源电路保护器件。 采用热插拔设计，可在故障状态下可将电流和电压限制在安全范围内。 该器件具备Latched Fault Response功能，能有效防止过载、短路、电压浪涌、过冲电流及反向电流。其内置钳位电路无需外接元件可将过电压限制在安全最大值，可为12V系统提供过压保护（OVP）。 当需要特定电压斜坡时，可通过单个电容器对dV/dT引脚进行编程设置，确保输出曲线符合要求。 该器件支持可编程限流功能，限流值通过连接ILIMIT引脚与地的外部电阻进行设定，精度可达±15%，且仅需单个外部电阻即可完成参数配置。

ISM6405A是一款全集成的10A电源解决方案，内部集成DCDC变换器，MOS，电感，电容以及外围电阻。体积小巧，EMI低。 ISM6405A能最大限度地减少外部组件的使用，并简化输出电感设计。内置3.3V LDO，对于单输入电源应用条件尤为有用。差分检测方案和0.6V内部反馈参考电压可在整个工作温度范围内实现±1%的容差，并提供了出色的线性和负载调节。 ISM6405A采用专利的Turbo恒定时间(TCOT™）算法以改善瞬态响应。具备完整的功能集，包括电源良好指示、预偏置启动及全面的保护特性，如OCP、NOCP、OVP、UVP和OTP。 内部斜坡补偿设计使得所有输出电容均为MLCC可正常使用，从而节省空间和成本，是为各类负载点应用提供供电电源的理想器件。

IS6103B是一款集成场效应晶体管（FET）的主动式有源电路保护器件。 采用热插拔设计，可在故障状态下可将电流和电压限制在安全范围内。 该器件具备Auto Retry Fault Response功能，能有效防止过载、短路、电压浪涌、过冲电流及反向电流。其内置钳位电路无需外接元件可将过电压限制在安全最大值，可为5V系统提供过压保护（OVP）。 当需要特定电压斜坡时，可通过单个电容器对dV/dT引脚进行编程设置，确保输出曲线符合要求。 该器件支持可编程限流功能，限流值通过连接ILIMIT引脚与地的外部电阻进行设定，精度可达±15%，且仅需单个外部电阻即可完成参数配置。

IS6103A是一款集成场效应晶体管（FET）的主动式有源电路保护器件。 采用热插拔设计，可在故障状态下可将电流和电压限制在安全范围内。 该器件具备Latched Fault Response功能，能有效防止过载、短路、电压浪涌、过冲电流及反向电流。其内置钳位电路无需外接元件可将过电压限制在安全最大值，可为5V系统提供过压保护（OVP）。 当需要特定电压斜坡时，可通过单个电容器对dV/dT引脚进行编程设置，确保输出曲线符合要求。 该器件支持可编程限流功能，限流值通过连接ILIMIT引脚与地的外部电阻进行设定，精度可达±15%，且仅需单个外部电阻即可完成参数配置。

ISM6402B是一款全集成的15A电源解决方案，内部集成DCDC变换器，MOS，电感，电容以及外围电阻。体积小巧，EMI低。 ISM6402B最大限度地减少外部组件的使用，并简化输出电感设计。内置3.3V LDO，对于单输入电源应用条件尤为有用。差分检测方案和0.6V内部反馈参考电压可在整个工作温度范围内实现±1%的容差，并提供了出色的线性和负载调节。 ISM6402B采用专利的Turbo恒定时间(TCOT™）算法以改善瞬态响应。具备完整的功能，包括电源良好指示、预偏置启动及全面的保护特性，如OCP、NOCP、OVP、UVP和OTP。 内部斜坡补偿设计使得所有输出电容均为MLCC可正常使用，从而节省空间和成本，是为各类负载点应用提供供电电源的理想器件。

IS6102A是一款集成3mΩ功率MOSFET的多重保护器件，具有最大15A直流电流监测功能，支持在电路故障情况下将电流和电压限制到安全水平。  IS6102A配备了电流监测功能（IMON），通过利用从IMON到地的外部电阻，产生与器件电流成比例的电压，实现电流值的监测和反馈。在启动过程中，通过在软启动（SS）引脚上连接外部电容器来设置输出端的斜率，以限制浪涌电流，保护系统组件。同时，该器件具有可编程电流限制功能，通过从ISET引脚连接到地的外部电阻来调节电流限制值，以满足不同场景下的需求。 内部充电泵驱动集成MOSFET的栅极，使其在激活时具有非常低的导通电阻，仅为3mΩ，提升了器件的性能和效率。此外，IS6102A集成了全方位的故障检测和保护功能，包括过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、反向电流检测等，全面保护系统免受异常工作条件的影响，确保系统能够可靠运行并具有长寿命。

ISM6636C是一款高功率密度的全集成电源模块，设计精巧，内部集成控制器、MOS管、输出电感电容，便于使用。 该器件支持宽输入电压范围，最大可提供6A连续输出电流。内部集成的LDO稳压器非常适合单输入电源环境，用户还可选配外部偏置电路以进一步提升效率。采用差分传感方案，确保在全温区范围内输出电压容差可达±1%。 ISM6636C具备出色的线性和负载调节能力，同时支持I2C串行通信接口，可通过I2C编程来快速获取输出电压，输出电流，温度等信息。其保护功能全面集成，包括预偏置启动（Pre-bias）、软启动保护（SS）、正电流过流保护（OCP）、负电流过流保护（NOCP）、输出过压保护（OVP）、输出欠压保护（UVP）和具有自动恢复的过温度保护（OTP）。

ISM6636A/B是一款高功率密度的全集成电源模块，设计精巧，内部集成控制器、MOS管、输出电感电容，便于使用。 该器件支持宽输入电压范围，最大可提供4A连续输出电流。内部集成的LDO稳压器非常适合单输入电源环境，用户还可选配外部偏置电路以进一步提升效率。采用差分传感方案，确保在全温区范围内输出电压容差可达±1%。 ISM6636A/B具备出色的线性和负载调节能力，同时支持I2C串行通信接口，可通过I2C编程来快速获取输出电压，输出电流，温度等信息。其保护功能全面集成，包括预偏置启动（Pre-bias）、软启动保护（SS）、正电流过流保护（OCP）、负电流过流保护（NOCP）、输出过压保护（OVP）、输出欠压保护（UVP）和具有自动恢复的过温度保护（OTP）。

IS6821A是一款集成高/低侧功率MOSFET和栅极驱动器的智能功率级，能在宽输入电压范围实现90A的连续输出电流，是注重高效率与小尺寸的多相应用理想之选。 得益于优化的MOSFET器件，IS6821A具有高电流承载能力、出色的热性能和高效率，它可接收控制器的三态脉宽调制（PWM）信号。IMON引脚能够提供高精度的电流检测信号，增益为5uA/A。温度监控功能可显示功率级内部的温度（TMON），如发生灾难性故障，TMON信号将迅速拉高至3.3V。 IS6821A支持高精度电流监测和温度报告功能，并配备了全面的保护功能，包括正负电流限制、过温保护、故障警报功能等。

IS6819C是内置高/低侧功率MOSFET和栅极驱动器高度集成的智能功率级，可在较低输出电压下实现更高的效率。 该产品能够提供高电流性能，良好的热性能，高效率优化MOSFET设计，内部MOSFET感测可实现卓越的电流感测精度，最大限度地减少了开关和传导损耗。 IS6819C单相带载达 70A，高达1.5MHz开关频率的操作可实现高性能瞬态响应，支持输出电感及输入和输出电容的小型化，同时保持行业领先的效率。 此外，IS6819C支持高精度的电流监测和温度监测功能，配备了全套保护功能，包括正负电流限制、过温保护、故障警报功能等。