Результаты поиска:AO3400A
Найдено: 22- С даташитом19
- Производителей18
Результаты поискаВсего: 22
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L | Даташит7 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗 | Даташит8 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,电流:5.8A,耐压:30V | Даташит8 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 耐压:30V 电流:5.8A | Даташит9 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 漏源电压:30V 连续漏极电流:5.7A 导通电阻:48mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.65V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,电流:5.8A,耐压:30V | Даташит6 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOS场效应管 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,30V,5.8A,2.7Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,5.8A | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道MOSFET，高密单元设计，低导通电阻，适用于负载/电源开关和接口开关 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | 本产品是一款N型场效应管，具有5.8A的电流承载能力，最高30V的工作电压。其内阻典型值为21mΩ，栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大及开关控制等，确保系统稳定可靠运行。 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 30V SOT23 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | AO3400AL | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит6 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.