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MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L

30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2

N沟道，30V，6.2A，17mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

耐压:30V 电流:5.8A

N沟道,电流:6.0A,耐压:30V

N沟道,电流:5.8A,耐压:30V

漏源电压:30V 连续漏极电流:5.8A 导通电阻:36mΩ@4.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：1V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,5.8A

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8安培（ID/A）的连续漏极电流能力，在不超过30伏特（VDSS/V）的漏源电压下工作。其导通电阻（RDSON/mR）仅为19毫欧姆，在20伏特（VGS/V）的栅源电压驱动下能够提供高效的电流传输。这些特性使其非常适合应用于需要高效能和低能耗的电路设计中，例如在开关电源、便携式设备或消费电子产品的电源路径管理中，能够实现快速切换和减少能量损耗。

MOS · 中低压 沟槽Trench MOS

MOSFET N-CH 30V SOT23

AO3404A-GK

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

型号AO3404A 的高性能N沟道MOS管，采用了节省空间的SOT-23-3L封装，便于在紧凑型电路板上集成。其关键电气参数表现出色，最大工作电压VDSS高达30V，连续电流ID承载能力高达5.8A，充分满足高功率应用需求。尤为突出的是，导通电阻RD(on)仅为22mR，以极低的功率损耗实现了更高的工作效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机控制、LED驱动等多个领域，是您提升电路性能、优化能源利用的理想元件选择。

便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

N-Channel MOSFET