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DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252

Silicon Carbide Schottky Diode

该碳化硅二极管采用独立式封装，具有10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温工作性能与快速开关能力，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效率开关电源、服务器电源模块、储能系统中的直流变换器以及对能效和散热设计有较高要求的紧凑型电源装置。

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，最大反向重复电压达650V，正向压降低至1.3V，反向漏电流仅为50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性，适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。