Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:FDN340P

Найдено: 15
  • С даташитом14
  • Производителей12

Результаты поискаВсего: 15

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

Даташит3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SOT-23 MOSFETS ROHS

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит6
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

场效应管

Даташит5
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流3A。具有低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中,实现高效、节能的功率控制与管理。

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит4
Single FETs, MOSFETs

MOS · 中低压 沟槽Trench MOS

Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

P沟道,-20V,-2.3A,90mΩ@-4.5V,-2.3A;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит9
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON),使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

Даташит8

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.