Результаты поиска:FDS9431A
Найдено: 10- С даташитом8
- Производителей5
Результаты поискаВсего: 10
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит6 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | FDS9431A 型号MOS管基于高级P沟道技术制造，采用紧凑型SOP-8封装规格，专为现代电子设备的小型化及高效能需求而生。在30V额定电压VDSS条件下，该器件能安全处理5A连续漏极电流ID，并具有超低的43mR导通电阻RD(on)，确保高效节能运行。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件。 | Даташит2 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC | Даташит1 | ||||
| Даташит2 | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET, | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.