Результаты поиска:IDK10G65C5XTMA1
Найдено: 3- С даташитом3
- Производителей2
Результаты поискаВсего: 3
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single Diodes | DIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2 | Даташит1 | ||||
| Diodes - Rectifiers - Single | DIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2 | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | 该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，并可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其低VF与微小IR特性有助于降低导通损耗与静态功耗，适用于高频开关电源、高效率整流模块及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.