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IGBT（绝缘栅双极型晶体管），由IGBT芯片与续流二极管FRD通过封装形成的功率半导体，兼具MOSFET高输入阻抗和双极型晶体管低导通低压降大电流特性，多个lGBT封装成lGBT模块，模块采用DBC陶瓷覆铜基板、陶瓷绝缘散热层lGBT芯片封装，包含输入驱动、输出保护等，lGBT模组额定电压6500V，输出电流达1000A，主要应用于电网高压直流变流控制、高压光伏逆变器、轨道交通牵引变流器、智能电网高压直流系统及超大型激光发射系统。