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MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO

MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO

该款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其最大漏源电流（ID/A）可达13A，在保证安全使用的前提下，能承受的最大漏源电压（VDSS/V）为40V。在导通状态下，其导通电阻（RDSON/mR）仅为14毫欧，有助于减少能量损耗。此MOSFET要求栅源电压（VGS/V）范围为±20V，以确保正常操作。适用于多种电路设计中作为开关或放大元件使用。

MOSFET P-CH 40V 16.1A SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。