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DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.38V，表现出较低的导通损耗。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料的特性，其在高频开关和高温工作条件下仍能维持稳定电气性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.42V，具备较低的导通损耗。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A，适用于高频、高效率要求的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备，在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。