HL(富海微)Китай
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40-45 连续漏极电流ID(A):5A
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока5 A
Сопротивление в открытом состоянии49 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |