HUASHUO(华朔)Китай
双N沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽MOS技术，低栅极电荷和低导通电阻
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока30 A
Сопротивление в открытом состоянии6 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.