HUASHUO(华朔)Китай
双路非对称N沟道CMOS FET，采用先进SGT MOS技术，低导通电阻，100% EAS保证，有环保型号
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока58 ~ 99 A<SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>99A</SPAN>
Сопротивление в открытом состоянии4 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>99A</SPAN>；58A |
| 连续漏极电流(Id) | 99A；58A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.