Поиск аналогов электронных компонентов
HUASHUO(华朔)Китай

P沟道快速开关MOSFET,具备超低栅极电荷和先进沟槽技术

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока16.8 A
Сопротивление в открытом состоянии5 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16.8A
Другое
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
数量1个P沟道

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.