Figure 2: 48-Pin TSOP – Type 1… — Источник: Даташит, с. 9

MT29F4G08ABADAWP:D

ПроизводитсяMemory48-pin TSOP type 1

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I

4Gb x8 SLC NAND Flash память, интерфейс ONFI 1.0, поддерживает двойное напряжение 1.8V/3.3V, корпус 48-pin TSOP, промышленный температурный диапазон -40°C до +85°C, встроенный 4-битный ECC.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNAND Flash

Объём памяти4 Gbit

ИнтерфейсParallel

Напряжение питания1.7 ~ 1.95 V

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 30

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Тип памяти	NAND Flash Memory, Single-level cell (SLC)
Ёмкость	4Gb (4096 blocks)
Интерфейс	Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant, Asynchronous I/O, x8
Напряжение питания	VCC: 1.7–1.95V (1.8V mode), 2.7–3.6V (3.3V mode)
Корпус	48-pin TSOP type 1, CPL 2
Рабочая температура	Industrial (IT): -40°C to +85°C
Класс	Industrial (IT)
Рекомендуемые условия эксплуатации	VCC: 1.7–1.95V (1.8V), 2.7–3.6V (3.3V); TA: -40°C to +85°C (Industrial)
Абсолютные максимальные значения	VCC: -0.6V to 2.4V (1.8V), -0.6V to 4.6V (3.3V); TSTG: -65°C to 150°C
Время хранения данных	10 years
Износостойкость	100,000 PROGRAM/ERASE cycles
Размер страницы	2112 bytes (2048 + 64 bytes) for x8
Размер блока	64 pages (128K + 4K bytes)
Размер плоскости	2 planes x 2048 blocks per plane
Время чтения страницы	25µs (TYP)
Время программирования страницы	200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)
Время стирания блока	700µs (TYP)
Время цикла записи	tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
Ток последовательного чтения	ICC1: 13mA (TYP), 20mA (MAX) at 1.8V; 25mA (TYP), 35mA (MAX) at 3.3V
Ток программирования	ICC2: 10mA (TYP), 20mA (MAX) at 1.8V; 25mA (TYP), 35mA (MAX) at 3.3V
Ток стирания	ICC3: 10mA (TYP), 20mA (MAX) at 1.8V; 25mA (TYP), 35mA (MAX) at 3.3V
Ток ожидания (TTL)	ISB1: 1mA (MAX)
Ток ожидания (CMOS)	ISB2: 10µA (TYP), 50µA (MAX) at 1.8V; 20µA (TYP), 100µA (MAX) at 3.3V
Входное напряжение высокого уровня	VIH: 0.8 x VCC (Min), VCC + 0.3V (Max)
Входное напряжение низкого уровня	VIL: -0.3V (Min), 0.2 x VCC (Max)
Выходное напряжение высокого уровня	VOH: VCC - 0.1V (Min) at 1.8V; 0.67 x VCC (Min) at 3.3V
Выходное напряжение низкого уровня	VOL: 0.1V (Max) at 1.8V; 0.4V (Max) at 3.3V
Ток утечки входа	ILI: ±10µA (Max)
Ток утечки выхода	ILO: ±10µA (Max)
Код исправления ошибок	Internal 4-bit ECC

Все параметры (18)РазвернутьСвернуть

Питание
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V
Условия эксплуатации и корпус
Memory Size	4Gbit
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Package	Tray
Package / Case	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Supplier Device Package	48-TSOP I
Другое
Base Product Number	MT29F4G08
DigiKey Programmable	Not Verified
Memory Format	FLASH
Memory Interface	Parallel
Memory Organization	512M x 8
Memory Type	Non-Volatile
Mfr	Micron Technology Inc.
Product Status	Active
Series	-
Technology	FLASH - NAND
Write Cycle Time - Word, Page	-

Распиновка и корпус

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 1.4 MB · 2026-11-02

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.