Поиск аналогов электронных компонентов
STS1HNK60
STMicroelectronicsШвейцария

STS1HNK60

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - Single8-SOIC

MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока300 mA
Сопротивление в открытом состоянии8.5 ΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение3.7 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberSTS1
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds156 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5Ohm @ 500mA, 10V
SeriesSuperMESH™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA

Изображения

Документы