Поиск аналогов электронных компонентов
STS6NF20V
STMicroelectronicsШвейцария

STS6NF20V

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs8-SOIC

MOSFET N-CH 20V 6A 8SO

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока6 A
Сопротивление в открытом состоянии40 mΩМакс. · 3A
Пороговое напряжение600 mVМакс. · 250μA (Min)
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.95V, 4.5V
Power Dissipation (Max)2.5W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberSTS6NF20
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 15 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
SeriesSTripFET™ II
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)

Изображения

Документы