Поиск аналогов электронных компонентов
TSM061NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

TSM061NA03CR RLG

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока88 A
Сопротивление в открытом состоянии6.1 mΩМакс. · 16A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C88A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)78W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PDFN (5x6)
Другое
Base Product NumberTSM061
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1133 pF @ 15 V
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 16A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы