VBsemi(微碧半导体)Китай
ZXMC6A09DN8TC-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN + P
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока5.3 A
Сопротивление в открытом состоянии55 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.9A |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |